На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STB11NM60-1 | STB11NM60FDT4 | STB11NM60N-1 | STB11NM60T4 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий |
Потужність | P | <160 Вт | <160 Вт | <90 Вт | <160 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1 нФVds = 25V | 900 пФVds = 25V | 850 пФVds = 50V | 1 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <650 В | <600 В | <600 В | <650 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <11 А | <11 А | <10 А | <11 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <450 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V | <450 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V | <450 мОмId, Vgs = 5A, 10V | <450 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | MDmesh™ | FDmesh™ | MDmesh™ | MDmesh™ |
Заряд затвору | QG | 30 нCVgs = 10V | 40 нCVgs = 10V | 31 нCVgs = 10V | 30 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||