На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SPW47N60C2 | SPW47N60C3 | SPW47N60CFD | SPW47N60S5 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247 | |||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||
Потужність | P | <415 Вт | <415 Вт | <417 Вт | <415 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 8.8 нФVds = 25V | 6.8 нФVds = 25V | 7.7 нФVds = 25V | 7.6 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | <650 В | <600 В | <650 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <47 А | <47 А | <46 А | <47 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <70 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <70 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <83 мОмId, Vgs = 29A, 10V | <70 мОмId, Vgs = 30A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | CoolMOS™ | |||
Заряд затвору | QG | 286 нCVgs = 10V | 320 нCVgs = 10V | 322 нCVgs = 10V | 286 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||