На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SPU30N03S2-08 | SPU30N03S2L-10 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <125 Вт | <82 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.17 нФVds = 25V | 1.46 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <30 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <8.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <10 мОмId, Vgs = 30A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 47 нCVgs = 10V | 39.4 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |