На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SPP80N04S2-04 | SPP80N04S2-H4 | SPP80N04S2L-03 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220 | ||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <300 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 6.98 нФVds = 25V | 5.89 нФVds = 25V | 7.93 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <40 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <80 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <4 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3.4 мОмId, Vgs = 80A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | ||
Заряд затвору | QG | 170 нCVgs = 10V | 148 нCVgs = 10V | 213 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate |