На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SPP80N03S2-03 | SPP80N03S2L-03 | SPP80N03S2L-04 | SPP80N03S2L-05 | SPP80N03S2L-06 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220AB | TO-220AB |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||||
Потужність | P | <300 Вт | <300 Вт | <188 Вт | <167 Вт | <150 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 7.02 нФVds = 25V | 8.18 нФVds = 25V | 3.9 нФVds = 25V | 3.32 нФVds = 25V | 2.53 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <80 А | ||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.4 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3.1 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <4.2 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <5.2 мОмId, Vgs = 55A, 10V | <6.2 мОмId, Vgs = 80A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | ||||
Заряд затвору | QG | 150 нCVgs = 10V | 220 нCVgs = 10V | 105 нCVgs = 10V | 89.7 нCVgs = 10V | 68 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |