На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SPP15P10P | SPP15P10PG | SPP15P10PLG | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220AB | TO-220 | TO-220 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Крізь отвір |
Потужність | P | <128 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.18 нФVds = 25V | 1.28 нФVds = 25V | 1.49 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <15 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <240 мОмId, Vgs = 10.6A, 10V | <240 мОмId, Vgs = 10.6A, 10V | <200 мОмId, Vgs = 11.3A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | SIPMOS® | ||
Заряд затвору | QG | 50 нCVgs = 10V | 48 нCVgs = 10V | 62 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate |