На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SPP11N60C3 | SPP11N60CFD | SPP11N60S5 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220AB | TO-220 | TO-220AB |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <125 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.2 нФVds = 25V | 1.2 нФVds = 25V | 1.46 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <650 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <11 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <380 мОмId, Vgs = 7A, 10V | <440 мОмId, Vgs = 7A, 10V | <380 мОмId, Vgs = 7A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | CoolMOS™ | ||
Заряд затвору | QG | 60 нCVgs = 10V | 64 нCVgs = 10V | 54 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||