На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SPP100N03S2-03 | SPP100N03S2L03 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220AB | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <300 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 7.02 нФVds = 25V | 8.18 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <100 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.3 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3 мОмId, Vgs = 80A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 150 нCVgs = 10V | 220 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |