SPP04N60C3

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		SPP04N60C3	SPP04N60S5
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-220AB	TO-220
Виробник	Виробник	Infineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Потужність	P	<50 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	490 пФVds = 25V	580 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<650 В	<600 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<4.5 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<950 мОмId, Vgs = 2.8A, 10V
Серія MOSFET	Серія	CoolMOS™
Заряд затвору	Q_G	25 нCVgs = 10V	22.9 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard