На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SPN02N60C3 | SPN02N60C3E6433 | SPN02N60S5 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | ||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <1.8 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 200 пФVds = 25V | 200 пФVds = 25V | 250 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <650 В | <650 В | <600 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <400 мА | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <2.5 ОмId, Vgs = 1.1A, 10V | <2.5 ОмId, Vgs = 1.1A, 10V | <3 ОмId, Vgs = 1.1A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | CoolMOS™ | ||
Заряд затвору | QG | 13 нCVgs = 10V | 13 нCVgs = 10V | 7.4 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||