На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SPI80N08S2-07 | SPI80N08S2-07R | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <300 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 6.13 нФVds = 25V | 5.83 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <75 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <80 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <7.4 мОмId, Vgs = 66A, 10V | <7.3 мОмId, Vgs = 80A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 180 нCVgs = 10V | 185 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |