На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SPI80N06S-08 | SPI80N06S2-07 | SPI80N06S2-08 | SPI80N06S2L-05 | SPI80N06S2L-11 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | ||||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||||
Потужність | P | <300 Вт | <250 Вт | <215 Вт | <300 Вт | <158 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.66 нФVds = 25V | 4.54 нФVds = 25V | 3.8 нФVds = 25V | 7.53 нФVds = 25V | 2.65 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <80 А | ||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <8 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <6.6 мОмId, Vgs = 68A, 10v | <8 мОмId, Vgs = 58A, 10V | <4.8 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <11 мОмId, Vgs = 40A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | SIPMOS® | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ |
Заряд затвору | QG | 187 нCVgs = 10V | 110 нCVgs = 10V | 96 нCVgs = 10V | 230 нCVgs = 10V | 80 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate |