На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SPD50N03S2-07 | SPD50N03S2-07G | SPD50N03S2L-06 | SPD50N03S2L-06G | SPD50N03S2L06T | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Потужність | P | <136 Вт | ||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.17 нФVds = 25V | 2.17 нФVds = 25V | 2.53 нФVds = 25V | 2.53 нФVds = 25V | 2.53 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <50 А | ||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <7.3 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <7.3 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <6.4 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <6.4 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <6.4 мОмId, Vgs = 50A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | ||||
Заряд затвору | QG | 46.5 нCVgs = 10V | 46.5 нCVgs = 10V | 68 нCVgs = 10V | 68 нCVgs = 10V | 68 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |