На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SPD30N03S2L-07 | SPD30N03S2L07T | SPD30N03S2L-10 | SPD30N03S2L-10G | SPD30N03S2L10T | SPD30N03S2L-20 | SPD30N03S2L-20G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Потужність | P | <136 Вт | <136 Вт | <100 Вт | <100 Вт | <100 Вт | <60 Вт | <60 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.53 нФVds = 25V | 2.53 нФVds = 25V | 1.55 нФVds = 25V | 1.55 нФVds = 25V | 1.55 нФVds = 25V | 700 пФVds = 25V | 700 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <30 А | ||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <6.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <6.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <10 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <10 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <10 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <20 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <20 мОмId, Vgs = 18A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | ||||||
Заряд затвору | QG | 68 нCVgs = 10V | 68 нCVgs = 10V | 41.8 нCVgs = 10V | 41.8 нCVgs = 10V | 41.8 нCVgs = 10V | 19 нCVgs = 10V | 19 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||||