На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SPD07N60C3 | SPD07N60C3T | SPD07N60S5 | SPD07N60S5T | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <83 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 790 пФVds = 25V | 790 пФVds = 25V | 970 пФVds = 25V | 970 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <650 В | <650 В | <600 В | <600 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <7.3 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <600 мОмId, Vgs = 4.6A, 10V | |||
Серія MOSFET | Серія | CoolMOS™ | |||
Заряд затвору | QG | 27 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V | 35 нCVgs = 10V | 35 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||