На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SPB10N10G | SPB10N10L | SPB10N10LG | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <50 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 426 пФVds = 25V | 444 пФVds = 25V | 444 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <10.3 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <170 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V | <154 мОмId, Vgs = 8.1A, 10V | <154 мОмId, Vgs = 8.1A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | SIPMOS® | ||
Заряд затвору | QG | 19.4 нCVgs = 10V | 22 нCVgs = 10V | 22 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate |