На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SPB100N03S2-03 | SPB100N03S2-03G | SPB100N03S203T | SPB100N03S2L-03 | SPB100N03S2L-03G | SPB100N03S2L03T | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Потужність | P | <300 Вт | |||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 7.02 нФVds = 25V | 7.02 нФVds = 25V | 7.02 нФVds = 25V | 8.18 нФVds = 25V | 8.18 нФVds = 25V | 8.18 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <100 А | |||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <2.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <2.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <2.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |||||
Заряд затвору | QG | 150 нCVgs = 10V | 150 нCVgs = 10V | 150 нCVgs = 10V | 220 нCVgs = 10V | 220 нCVgs = 10V | 220 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |