На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SPB04N60C3 | SPB04N60S5 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <50 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 490 пФVds = 25V | 580 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <650 В | <600 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <4.5 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <950 мОмId, Vgs = 2.8A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | CoolMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 25 нCVgs = 10V | 22.9 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |