На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SIE820DF-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 10-PolarPAK® (S) |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <104 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 4.3 нФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <50 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.5 мОмId, Vgs = 18A, 4.5V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® |
Заряд затвору | QG | 143 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |