На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SIE802DF-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 10-PolarPAK® (L) |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <125 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 7 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <60 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.9 мОмId, Vgs = 23.6A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® |
Заряд затвору | QG | 160 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |