На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SIB417DK-T1-GE3 | SIB417EDK-T1-GE3 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PowerPAK® SC-75-6L | |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <13 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 675 пФVds = 4V | 565 пФVds = 4V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <8 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <9 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <52 мОмId, Vgs = 5.6A, 4.5V | <58 мОмId, Vgs = 5.8A, 4.5V |
Заряд затвору | QG | 12.75 нCVgs = 5V | 12 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |