SIA443DJ-T1-E3

SIA443, SIA443DJ-T1-E3, SIA443DJ-T1-GE3

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрSIA443DJ-T1-E3SIA443DJ-T1-GE3
Корпус мікросхеми
Корпус
PowerPAK® SC-70-6
Виробник
Виробник
Vishay/Siliconix
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<15 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
750 пФVds = 10V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<20 В
Постійний струм стоку
IDSS
<9 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<45 мОмId, Vgs = 4.7A, 4.5V
Заряд затвору
QG
25 нCVgs = 8V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate