На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI9424BDY-T1-E3 | SI9424DY | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1.25 Вт | <1 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | (не задано) | 2.26 нФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <5.6 А | <8 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <25 мОмId, Vgs = 7.1A, 4.5V | <24 мОмId, Vgs = 8A, 4.5V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® | PowerTrench® |
Заряд затвору | QG | 40 нCVgs = 4.5V | 33 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |