На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI7172DP-T1-GE3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PowerPAK® SO-8 |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <96 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.25 нФVds = 100V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <25 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <70 мОмId, Vgs = 5.9A, 10V |
Заряд затвору | QG | 77 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |