На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI7123DN-T1-GE3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <52 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.729 нФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <25 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <10.6 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V |
Заряд затвору | QG | 90 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Standard |