На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI5406CDC-T1-GE3 | SI5406DC-T1-E3 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 1206-8 ChipFET™ | |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <5.7 Вт | <1.3 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.1 нФVds = 6V | (не задано) |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <12 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <6 А | <6.9 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <20 мОмId, Vgs = 6.5A, 4.5V | <20 мОмId, Vgs = 6.9A, 4.5V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | TrenchFET® |
Заряд затвору | QG | 32 нCVgs = 8V | 20 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |