На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI4890BDY-T1-GE3 | SI4890DY-T1-E3 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <5.7 Вт | <2.5 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.535 нФVds = 15V | (не задано) |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <16 А | <11 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <12 мОмId, Vgs = 10A, 10V | <12 мОмId, Vgs = 11A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | TrenchFET® |
Заряд затвору | QG | 33 нCVgs = 10V | 20 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |