На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI4835BDY-T1-E3 | SI4835DDY-T1-GE3 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1.5 Вт | <5.6 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | (не задано) | 1.96 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <7.4 А | <13 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <18 мОмId, Vgs = 9.6A, 10V | <18 мОмId, Vgs = 10A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 37 нCVgs = 5V | 65 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |