На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI4800,518 | SI4800BDY-T1-E3 | SI4800BDY-T1-GE3 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | ||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <2.5 Вт | <1.3 Вт | <1.3 Вт |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <9 А | <6.5 А | <6.5 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <18.5 мОмId, Vgs = 9A, 10V | ||
Серія MOSFET | Серія | TrenchMOS™ | TrenchFET® | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 11.8 нCVgs = 5V | 13 нCVgs = 5V | 13 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||