На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI4686DY-T1-E3 | SI4686DY-T1-GE3 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <5.2 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.22 нФVds = 15V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <18.2 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <9.5 мОмId, Vgs = 13.8A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 26 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |