SI4435BDY-T1-E3

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		SI4435BDY-T1-E3	SI4435DDY-T1-GE3	SI4435DY	SI4435DYPBF	SI4435DYTR	SI4435DYTRPBF
Корпус мікросхеми	Корпус	8-SOIC (3.9mm Width)
Виробник	Виробник	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий
Потужність	P	<1.5 Вт	<5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	(не задано)	1.35 нФVds = 15V	2.32 нФVds = 15V	2.32 нФVds = 15V	2.32 нФVds = 15V	2.32 нФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<30 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<7 А	<11.4 А	<8 А	<8 А	<8 А	<8 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	P-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<20 мОмId, Vgs = 9.1A, 10V	<24 мОмId, Vgs = 9.1A, 10V	<20 мОмId, Vgs = 8A, 10V	<20 мОмId, Vgs = 8A, 10V	<20 мОмId, Vgs = 8A, 10V	<20 мОмId, Vgs = 8A, 10V
Серія MOSFET	Серія	TrenchFET®	(не задано)	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®
Заряд затвору	Q_G	70 нCVgs = 10V	50 нCVgs = 10V	60 нCVgs = 10V	60 нCVgs = 10V	60 нCVgs = 10V	60 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Logic Level Gate	Standard	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate