На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI4420BDY-T1-E3 | SI4420BDY-T1-GE3 | SI4420DY | SI4420DY,518 | SI4420DYPBF | SI4420DYTR | SI4420DYTRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | ||||||
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | International Rectifier | NXP Semiconductors | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Потужність | P | <1.4 Вт | <1.4 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | (не задано) | (не задано) | 2.24 нФVds = 15V | (не задано) | 2.24 нФVds = 15V | 2.24 нФVds = 15V | 2.24 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <9.5 А | <9.5 А | <12.5 А | <12.5 А | <12.5 А | <12.5 А | <12.5 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <8.5 мОмId, Vgs = 13.5A, 10V | <8.5 мОмId, Vgs = 13.5A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® | (не задано) | HEXFET® | TrenchMOS™ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 50 нCVgs = 10V | 50 нCVgs = 10V | 78 нCVgs = 10V | 120 нCVgs = 10V | 78 нCVgs = 10V | 78 нCVgs = 10V | 78 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||||