На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI4410DY | SI4410DY,518 | SI4410DYPBF | SI4410DYTR | SI4410DYTRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | ||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Потужність | P | <1 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.35 нФVds = 15V | (не задано) | 1.585 нФVds = 15V | 1.585 нФVds = 15V | 1.585 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <10 А | ||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <13.5 мОмId, Vgs = 10A, 10V | ||||
Серія MOSFET | Серія | PowerTrench® | TrenchMOS™ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 60 нCVgs = 10V | 34 нCVgs = 5V | 45 нCVgs = 10V | 45 нCVgs = 10V | 45 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||