На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI4170DY-T1-GE3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <6 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 4.355 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <30 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.5 мОмId, Vgs = 15A, 10V |
Заряд затвору | QG | 100 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |