На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI3475DV-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 6-TSOP |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <3.2 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 500 пФVds = 50V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <950 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.61 ОмId, Vgs = 900mA, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® |
Заряд затвору | QG | 18 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |