На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI3443BDV-T1-E3 | SI3443DV | SI3443DVTR | SI3443DVTRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 6-TSOP | 6-SSOT, SuperSOT-6 | Micro6™(TSOP-6) | 6-TSOP |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | Fairchild Semiconductor | International Rectifier | International Rectifier |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <1.1 Вт | <800 мВт | <2 Вт | <2 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | (не задано) | 640 пФVds = 10V | 1.079 нФVds = 10V | 1.079 нФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <3.6 А | <4 А | <4.4 А | <4.4 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <60 мОмId, Vgs = 4.7A, 4.5V | <65 мОмId, Vgs = 4A, 4.5V | <65 мОмId, Vgs = 4.4A, 4.5V | <65 мОмId, Vgs = 4.4A, 4.5V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® | PowerTrench® | HEXFET® | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 9 нCVgs = 4.5V | 10 нCVgs = 4.5V | 15 нCVgs = 4.5V | 15 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||