На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI3430DV-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 6-TSOP |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <1.14 Вт |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <1.8 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <170 мОмId, Vgs = 2.4A, 10V |
Заряд затвору | QG | 6.6 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |