На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI2333CDS-T1-E3 | SI2333DS-T1-E3 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <2.5 Вт | <750 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.225 нФVds = 6V | 1.1 нФVds = 6V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <12 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <7.1 А | <4.1 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <35 мОмId, Vgs = 5.1A, 4.5V | <32 мОмId, Vgs = 5.3A, 4.5V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | TrenchFET® |
Заряд затвору | QG | 25 нCVgs = 4.5V | 18 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |