На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI2319DS-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <750 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 470 пФVds = 20V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <40 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <2.3 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <82 мОмId, Vgs = 3A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® |
Заряд затвору | QG | 17 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |