На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI2316BDS-T1-GE3 | SI2316DS-T1-E3 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1.66 Вт | <700 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 350 пФVds = 15V | 215 пФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <4.5 А | <2.9 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <50 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V | <50 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | TrenchFET® |
Заряд затвору | QG | 9.6 нCVgs = 10V | 7 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |