На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI2307BDS-T1-E3 | SI2307CDS-T1-GE3 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <750 мВт | <1.8 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 380 пФVds = 15V | 340 пФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <2.5 А | <3.5 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <78 мОмId, Vgs = 3.2A, 10V | <88 мОмId, Vgs = 3.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 15 нCVgs = 10V | 6.2 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |