На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI2305ADS-T1-GE3 | SI2305DS-T1-E3 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1.7 Вт | <1.25 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 740 пФVds = 4V | 1.245 нФVds = 4V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <8 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <5.4 А | <3.5 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <40 мОмId, Vgs = 4.1A, 4.5V | <52 мОмId, Vgs = 3.5A, 4.5V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | TrenchFET® |
Заряд затвору | QG | 15 нCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |