На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI2304BDS-T1-E3 | SI2304BDS-T1-GE3 | SI2304DS,215 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | NXP Semiconductors |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <750 мВт | <750 мВт | <830 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 225 пФVds = 15V | 225 пФVds = 15V | 195 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <2.6 А | <2.6 А | <1.7 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <70 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V | <70 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V | <117 мОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | (не задано) | TrenchMOS™ |
Заряд затвору | QG | 4 нCVgs = 5V | 4 нCVgs = 5V | 4.6 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||