На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI2302ADS-T1-E3 | SI2302CDS-T1-GE3 | SI2302DS,215 | SI2302-TP | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | NXP Semiconductors | Micro Commercial Co |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <700 мВт | <710 мВт | <830 мВт | <1.25 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 300 пФVds = 10V | (не задано) | 230 пФVds = 10V | 237 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <2.1 А | <2.6 А | <2.5 А | <3 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <60 мОмId, Vgs = 3.6A, 4.5V | <57 мОмId, Vgs = 3.6A, 4.5V | <85 мОмId, Vgs = 3.6A, 4.5V | <72 мОмId, Vgs = 3.6A, 4.5V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | (не задано) | TrenchMOS™ | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 10 нCVgs = 4.5V | 5.5 нCVgs = 4.5V | 10 нCVgs = 4.5V | 10 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||