SI2301BDS-T1-E3

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		SI2301BDS-T1-E3	SI2301CDS-T1-GE3	SI2301-TP
Корпус мікросхеми	Корпус	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23
Виробник	Виробник	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Micro Commercial Co
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий
Потужність	P	<700 мВт	<1.6 Вт	<1.25 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	375 пФVds = 6V	405 пФVds = 10V	880 пФVds = 6V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<20 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<2.2 А	<3.1 А	<2.8 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	P-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<100 мОмId, Vgs = 2.8A, 4.5V	<112 мОмId, Vgs = 2.8A, 4.5V	<120 мОмId, Vgs = 2.8A, 4.5V
Заряд затвору	Q_G	10 нCVgs = 4.5V	10 нCVgs = 4.5V	14.5 нCVgs = 4.5V
FET Feature	FET Feature	Logic Level Gate	Standard	Logic Level Gate