На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI1070X-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <236 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 385 пФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <1.2 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <99 мОмId, Vgs = 1.2A, 4.5V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® |
Заряд затвору | QG | 8.3 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |