На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI1069X-T1-GE3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <236 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 308 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <940 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <184 мОмId, Vgs = 940mA, 4.5V |
Заряд затвору | QG | 6.86 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |