На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SI1013R-T1-E3 | SI1013R-T1-GE3 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <150 мВт | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <350 мА | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.2 ОмId, Vgs = 350mA, 4.5V | |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 1.5 нCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |