RUE003N02TL

RUE003N02, RUE003N02TL

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрRUE003N02TL
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini
Виробник
Виробник
Rohm Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<150 мВт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
25 пФVds = 10V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<20 В
Постійний струм стоку
IDSS
<300 мА
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<1 ОмId, Vgs = 300mA, 4V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate