RTU002P02T106

RTU002P02, RTU002P02T106

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрRTU002P02T106
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-70-3, SOT-323-3
Виробник
Виробник
Rohm Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<200 мВт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
50 пФVds = 10V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<20 В
Постійний струм стоку
IDSS
<250 мА
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<1.5 ОмId, Vgs = 250mA, 4.5V
FET Feature
FET Feature
Standard